လျှောက်လွှာhafnium tetrachlorideတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် (HfCl₄) သည် မြင့်မားသော dielectric constant (high-k) ပစ္စည်းများနှင့် ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (CVD) လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အဓိကအားဖြင့် အာရုံစိုက်ပါသည်။ အောက်ပါတို့သည် ၎င်း၏ သီးခြား application များဖြစ်သည်။
မြင့်မားသော dielectric ကိန်းသေပစ္စည်းများကိုပြင်ဆင်ခြင်း။
နောက်ခံ- ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ ထရန်စစ္စတာများ၏ အရွယ်အစားသည် ဆက်လက်ကျုံ့သွားကာ ရိုးရာဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် (SiO₂) ဂိတ်ပေါက်လျှပ်ကာအလွှာသည် ယိုစိမ့်မှုပြဿနာများကြောင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် semiconductor စက်ပစ္စည်းများ၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ခြင်းမရှိပေ။ မြင့်မားသော dielectric ကိန်းသေပစ္စည်းများသည် transistor များ၏ capacitance သိပ်သည်းဆကို သိသာထင်ရှားစွာ တိုးမြင့်စေပြီး စက်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
အသုံးချမှု- Hafnium tetrachloride သည် high-k ပစ္စည်းများ (ဥပမာ hafnium dioxide, HfO₂) ၏ ပြင်ဆင်မှုအတွက် အရေးကြီးသော ရှေ့ပြေးတစ်ခုဖြစ်သည်။ ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ hafnium tetrachloride သည် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများအားဖြင့် hafnium dioxide ရုပ်ရှင်များအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲသွားသည်။ ဤရုပ်ရှင်များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော dielectric ဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီး transistor များ၏ gate insulation အလွှာများအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) ၏ high-k gate dielectric HfO₂ ကို အပ်နှံရာတွင် hafnium tetrachloride ကို hafnium ၏ နိဒါန်းဓာတ်ငွေ့အဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။
Chemical Vapor Deposition (CVD) လုပ်ငန်းစဉ်
နောက်ခံ- Chemical vapor deposition သည် ပါးလွှာသော ဖလင် အစစ်ခံနည်းပညာကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှုတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုသည့် နည်းပညာဖြစ်ပြီး၊ ဓာတုတုံ့ပြန်မှုဖြင့် အလွှာ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် တူညီသော ပါးလွှာသော ဖလင်မ်တစ်ခု ဖြစ်လာသည်။
လျှောက်လွှာ- Hafnium tetrachloride ကို CVD လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ရှေ့ပြေးအဖြစ် အသုံးပြုပြီး သတ္တုဟက်ဖ်နီယမ် သို့မဟုတ် ဟာဖ်နီယမ် ဒြပ်ပေါင်းရုပ်ရှင်များကို အပ်နှံရန်။ ဤရုပ်ရှင်များသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ထရန်စစ္စတာများ၊ မမ်မိုရီစသည်တို့ကို ထုတ်လုပ်ခြင်းကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများတွင် အသုံးပြုမှုအမျိုးမျိုးရှိသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ အချို့သောအဆင့်မြင့်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင်၊ အရည်အသွေးမြင့် hafnium-based films များကို CVD လုပ်ငန်းစဉ်မှတဆင့် ဆီလီကွန် wafers များ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပ်နှံထားသည်။ စက်ပစ္စည်း၏ လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန် အသုံးပြုသည်။
သန့်စင်ခြင်းနည်းပညာ၏အရေးပါမှု
နောက်ခံ- တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်၊ ပစ္စည်း၏သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုသည် စက်၏စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ်တွင် အရေးပါသောသက်ရောက်မှုရှိသည်။ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော hafnium tetrachloride သည် စုဆောင်းထားသော ရုပ်ရှင်၏ အရည်အသွေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေနိုင်သည်။
လျှောက်လွှာ- အဆင့်မြင့် ချစ်ပ်များ ထုတ်လုပ်ခြင်း၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန်အတွက် hafnium tetrachloride ၏ သန့်စင်မှုသည် များသောအားဖြင့် 99.999% ထက်ပို၍ လိုအပ်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ Jiangsu Nanda Optoelectronic Materials Co., Ltd. သည် စုဆောင်းထားသော hafnium tetrachloride ထက် 9.9% ထက် 9.9% ပိုမိုသန့်ရှင်းစင်ကြယ်စေရန်အတွက် စုဆောင်းထားသော hafnium tetrachloride ထက် 9% သန့်စင်မှုပိုမိုရောက်ရှိကြောင်း သေချာစေရန်အတွက် semiconductor-grade hafnium tetrachloride ၏ ပြင်ဆင်မှု မူပိုင်ခွင့်ကို ရရှိခဲ့ပါသည်။ ဤသန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော hafnium tetrachloride သည် 14nm လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာ၏ လိုအပ်ချက်များကို ကောင်းစွာဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုတွင် hafnium tetrachloride ၏အသုံးချမှုသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးရုံသာမက အနာဂတ်တွင် ပိုမိုအဆင့်မြင့်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အရေးကြီးသောအခြေခံပစ္စည်းများကိုလည်း ထောက်ပံ့ပေးသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာ၏ စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ hafnium tetrachloride ၏ သန့်ရှင်းမှုနှင့် အရည်အသွေးအတွက် လိုအပ်ချက်များသည် ပိုမိုမြင့်မားလာပြီး ဆက်စပ် သန့်စင်မှုနည်းပညာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာစေရန် မြှင့်တင်ပေးမည်ဖြစ်ပါသည်။
| ထုတ်ကုန်အမည် | Hafnium tetrachloride |
| CAS | ၁၃၄၉၉-၀၅-၃ |
| ပေါင်းစပ်ဖော်မြူလာ | HfCl4 |
| မော်လီကျူးအလေးချိန် | ၃၂၀.၃ |
| အသွင်အပြင် | အဖြူမှုန့် |
Hafnium tetrachloride ၏သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများကို မည်သို့အကျိုးသက်ရောက်သနည်း။
hafnium tetrachloride ၏သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု (HfCl₄) ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုအပေါ် အလွန်အရေးကြီးသော သက်ရောက်မှုရှိသည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်၊ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော hafnium tetrachloride သည် စက်၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အရည်အသွေးကိုသေချာစေရန် အဓိကအချက်များထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ အောက်ဖော်ပြပါများသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများပေါ်တွင် hafnium tetrachloride သန့်စင်မှု၏ သီးခြားသက်ရောက်မှုများဖြစ်သည်။
1. ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များ၏ အရည်အသွေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် သက်ရောက်မှု
ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များ၏ တူညီမှုနှင့် သိပ်သည်းဆ- သန့်စင်မှု မြင့်မားသော ဟာဖနီယမ် တီထရာကလိုရိုက်သည် ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုပုံခြင်း (CVD) အတွင်း တူညီပြီး သိပ်သည်းသော ရုပ်ရှင်များကို ဖန်တီးနိုင်သည်။ hafnium tetrachloride တွင် အညစ်အကြေးများ ပါဝင်နေပါက၊ အဆိုပါ အညစ်အကြေးများသည် ထုတ်ယူခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ချို့ယွင်းချက်များ သို့မဟုတ် အပေါက်များ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်ပြီး ဖလင်၏ တူညီမှုနှင့် သိပ်သည်းဆကို လျော့နည်းသွားစေပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ အညစ်အကြေးများသည် ဖလင်၏အထူမညီမညာဖြစ်စေနိုင်ပြီး ကိရိယာ၏လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်မှုကို ထိခိုက်နိုင်သည်။
ပါးလွှာသောဖလင်များ၏ လျှပ်စီးကြောင်းဂုဏ်သတ္တိများ- မြင့်မားသော dielectric စဉ်ဆက်မပြတ်ပစ္စည်းများ (ဥပမာ hafnium dioxide, HfO₂) ကိုပြင်ဆင်သောအခါ hafnium tetrachloride ၏သန့်ရှင်းမှုသည် ရုပ်ရှင်၏ dielectric ဂုဏ်သတ္တိများကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်သည်။ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော hafnium tetrachloride သည် စုဆောင်းထားသော hafnium dioxide ဖလင်တွင် မြင့်မားသော dielectric ကိန်းသေ၊ ယိုစိမ့်သောရေစီးကြောင်းနှင့် ကောင်းမွန်သော insulation ဂုဏ်သတ္တိများရှိကြောင်း သေချာစေနိုင်သည်။ hafnium tetrachloride သည် သတ္တုအညစ်အကြေးများ သို့မဟုတ် အခြားသော အညစ်အကြေးများ ပါ၀င်ပါက၊ ၎င်းသည် အပိုအားသွင်းထောင်ချောက်များကို မိတ်ဆက်နိုင်သည်၊ ယိုစိမ့်သောလျှပ်စီးကြောင်းကို တိုးမြှင့်ပေးပြီး ဖလင်၏ dielectric ဂုဏ်သတ္တိများကို လျှော့ချနိုင်သည်။
2. စက်ပစ္စည်း၏လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကိုထိခိုက်ခြင်း။
Leakage current- hafnium tetrachloride ၏ သန့်စင်မှု မြင့်မားလေ၊ စုဆောင်းထားသော ဖလင်ကို ပိုသန့်စင်လေ၊ ယိုစိမ့်မှု သေးငယ်လေဖြစ်သည်။ ယိုစိမ့်လျှပ်စီးကြောင်း၏ပြင်းအားသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများ၏ ပါဝါသုံးစွဲမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်သည်။ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော hafnium tetrachloride သည် ယိုစိမ့်သောလျှပ်စီးကြောင်းကို သိသာထင်ရှားစွာ လျှော့ချနိုင်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် စက်၏ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။
ပြိုကွဲဗို့အား- အညစ်အကြေးများရှိနေခြင်းသည် ဖလင်၏ပြိုကွဲဗို့အားကို လျှော့ချနိုင်ပြီး ဗို့အားမြင့်မားမှုအောက်တွင် စက်ပစ္စည်းကို ပိုမိုလွယ်ကူစွာ ပျက်စီးစေသည်။ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော hafnium tetrachloride သည် ဖလင်၏ပြိုကွဲဗို့အားကို တိုးမြင့်စေပြီး စက်၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။
3. စက်ပစ္စည်း၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် အသက်ကို ထိခိုက်စေခြင်း။
အပူပိုင်းတည်ငြိမ်မှု- သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ဟက်ဖ်နီယမ်တက်ထရာကလိုရိုက်သည် မြင့်မားသောအပူချိန်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ကောင်းသောအပူတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းနိုင်ပြီး အညစ်အကြေးများကြောင့် အပူပြိုကွဲခြင်း သို့မဟုတ် အဆင့်ပြောင်းလဲမှုကို ရှောင်ရှားနိုင်သည်။ ၎င်းသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် အလုပ်လုပ်သည့်အခြေအနေများအောက်တွင် စက်၏တည်ငြိမ်မှုနှင့် အသက်ကို မြှင့်တင်ရန် ကူညီပေးသည်။
ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှု- အညစ်အကြေးများသည် ပတ်ဝန်းကျင်ရှိပစ္စည်းများနှင့် ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် တုံ့ပြန်နိုင်ပြီး၊ စက်၏ဓာတုတည်ငြိမ်မှုကို လျော့ကျစေသည်။ သန့်စင်မှုမြင့်မားသော hafnium tetrachloride သည် ဤဓာတုဗေဒတုံ့ပြန်မှုဖြစ်ပွားမှုကို လျှော့ချနိုင်ပြီး၊ ယင်းကြောင့် စက်၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် သက်တမ်းကို တိုးတက်စေသည်။
4. စက်၏ထုတ်လုပ်မှုအထွက်နှုန်းအပေါ်သက်ရောက်မှု
ချို့ယွင်းချက်များကို လျှော့ချပါ- သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ဟက်ဖ်နီယမ်တက်ထရာကလိုရိုက်သည် အစစ်ခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ချို့ယွင်းချက်များကို လျှော့ချနိုင်ပြီး ဖလင်၏ အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။ ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများ၏ ထုတ်လုပ်မှုအထွက်နှုန်းကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချရန် ကူညီပေးသည်။
လိုက်လျောညီထွေရှိမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်- သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော hafnium tetrachloride သည် မတူညီသောရုပ်ရှင်များ၏ အစီအစဥ်များသည် တစ်သမတ်တည်းစွမ်းဆောင်ရည်ရှိကြောင်း သေချာစေကာ ယင်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများ အကြီးစားထုတ်လုပ်မှုအတွက် အရေးကြီးပါသည်။
5. အဆင့်မြင့် လုပ်ငန်းစဉ်များအပေါ် သက်ရောက်မှု
အဆင့်မြင့် လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ လိုအပ်ချက်များနှင့် ပြည့်မီသည်- ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များသည် သေးငယ်သော လုပ်ငန်းစဉ်များဆီသို့ ဆက်လက် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ ပစ္စည်းများအတွက် သန့်စင်မှု လိုအပ်ချက်များလည်း မြင့်မားလာပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ 14nm နှင့် အောက်ရှိသော လုပ်ငန်းစဉ်ရှိသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများသည် များသောအားဖြင့် hafnium tetrachloride ၏ 99.999% ထက်ပိုသော သန့်စင်မှုကို လိုအပ်ပါသည်။ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှုရှိသော hafnium tetrachloride သည် ဤအဆင့်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ တင်းကျပ်သောပစ္စည်းလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားမှု၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ကြောင့် စက်များ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေသည်။
နည်းပညာတိုးတက်မှုကို မြှင့်တင်ပါ- သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော hafnium tetrachloride သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်း၏ လက်ရှိလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးရုံသာမက အနာဂတ်တွင် ပိုမိုအဆင့်မြင့်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အရေးကြီးသောအခြေခံပစ္စည်းများကိုလည်း ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
hafnium tetrachloride ၏ သန့်ရှင်းမှုသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်၊ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် သက်တမ်းအပေါ်တွင် အရေးပါသော သက်ရောက်မှုရှိပါသည်။ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော hafnium tetrachloride သည် ရုပ်ရှင်၏ အရည်အသွေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို အာမခံနိုင်သည်၊ ယိုစိမ့်သောလျှပ်စီးကြောင်းကို လျှော့ချနိုင်သည်၊ ပြိုကွဲနေသောဗို့အားကို တိုးမြင့်လာစေသည်၊ အပူပိုင်းတည်ငြိမ်မှုနှင့် ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများ၏ အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးတက်စေပါသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာ၏ စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်လာမှုနှင့်အတူ၊ hafnium tetrachloride ၏ သန့်စင်မှုလိုအပ်ချက်များသည် ပိုမိုမြင့်မားလာပြီး ဆက်စပ်သန့်စင်မှုနည်းပညာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာစေရန် မြှင့်တင်ပေးမည်ဖြစ်သည်။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီလ ၂၂-၂၀၂၅